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智能手機

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應用概述

通信技術市場正在快速發展，概括了新型片式元器件的發展動態,重點在元器件小型化、高頻化和精密技術, 在智能手機、GPS、W-LAN、藍牙等移動通信系統的應用發展。

智能手機

高功率電阻
- UR 低阻低TC高功率厚膜貼片電阻
  
  系列：UR
  功率(W)：1/8W~1W
  規格：0402（1005） 0603（1608） 0805（2012） 1206（3216） 1210（5025） 2512（6432）
  溫度系數：pls see detail in datasheet
  精度：1% 5%
  阻段：pls see detail in datasheet
- CH 低阻值高功率厚膜貼片電阻
  
  系列：CH
  功率(W)：1/10W~2W
  規格：0402（1005） 0603（1608） 0805（2012） 1206（3216） 1210（5025） 2512（6432）
  溫度系數：pls see detail in datasheet
  精度：1% 5%
  阻段：0.05Ω~1Ω
- CH 高功率厚膜貼片電阻
  
  系列：CH
  功率(W)：1/10W~2W
  規格：0402（1005） 0603（1608） 0805（2012） 1206（3216） 1210（5025） 2512（6432）
  溫度系數：pls see detail in datasheet
  精度：1% 2% 5%
  阻段：1Ω~10MΩ
貼片厚膜電阻
- RC 高壓厚膜貼片電阻
  
  系列：RC
  功率(W)：1/10W~1/4W
  規格：0603（1608） 0805（2012） 1206（3216）
  溫度系數：pls see detail in datasheet
  精度：1% 2% 5%
  阻段：47Ω~10MΩ
- RL 低溫度系數厚膜貼片電阻
  
  系列：RL
  功率(W)：1/20W~1W
  規格：0201（0603） 0402（1005） 0603（1608） 0805（2012） 1206（3216） 1210（5025） 2512（6432）
  溫度系數：pls see detail in datasheet
  精度：0.1% 0.5%1% 5%
  阻段：1Ω~1MΩ
- CR LED厚膜貼片電阻
  
  系列：CR
  功率(W)：1/8W~1/4W
  規格：0805（2012） 1206（3216）
  溫度系數：pls see detail in datasheet
  精度：1% 2% 5%
  阻段：1Ω~10MΩ
- CA 厚膜貼片排阻-凸式電極
  
  系列：CA
  功率(W)：1/16W~1/10W
  規格：CA024A CA034A
  溫度系數：pls see detail in datasheet
  精度：1% 5%
  阻段：1Ω~1MΩ
- CR 低阻值厚膜貼片電阻
  
  系列：CR
  功率(W)：1/16W~1W
  規格：0402~2512
  溫度系數：pls see detail in datasheet
  精度：1% 5%
  阻段：0.02Ω~1Ω
- PF 無鉛厚膜貼片電阻
  
  系列：PF
  功率(W)：1/20W~1W
  規格：0201（0603） 0402（1005） 0603（1608） 0805（2012） 1206（3216） 1210（5025） 2512（6432）
  溫度系數：pls see detail in datasheet
  精度：0.1% 0.5%1% 2% 5%
  阻段：1Ω~22MΩ
- CR 厚膜貼片電阻
  
  系列：CR
  功率(W)：1/20W~1W
  規格：01005（0402） 0201（0603） 0402（1005） 0603（1608） 0805（2012） 1206（3216） 1210（5025） 2512（6432）
  溫度系數：pls see detail in datasheet
  精度：0.1% 0.5% 1% 5%
  阻段：1Ω~100MΩ
合金箔貼片電阻
- RA 合金箔貼片電阻
  
  系列：RA
  功率(W)：1/8W
  規格：0201（0603）
  溫度系數：±150ppm/℃
  精度：1% 2% 5%
  阻段：3mΩ~4mΩ
合金貼片電阻
- RM 合金貼片電阻
  
  系列：RM
  功率(W)：1W
  規格：2512（6432）
  溫度系數：±50ppm/℃
  精度：1% 2% 5%
  阻段：1mΩ~50mΩ
低阻低TC高功率厚膜贴片电阻
- UR 低阻低TC高功率厚膜貼片電阻
  
  系列：UR
  功率(W)：3/4W
  规格：1210（3225）
  温度系数：±250ppm/℃ ±100ppm/℃
  精度：1% 5%
  阻段：0.010Ω~0.030Ω 0.033Ω~0.910Ω
低阻值高功率厚膜電阻
- CH 低阻值高功率厚膜電阻
  
  系列：CH
  功率(W)：1/8W
  規格：0603（1608）
  溫度系數：pls see detail in datasheet
  精度：1% 5%
  阻段：0.05Ω~1Ω(不含)
低阻值厚膜貼片電阻
- CR 低阻值厚膜貼片電阻
  
  系列：CR
  功率(W)：1/16W
  規格：0402（1005）
  溫度系數：pls see detail in datasheet
  精度：1% 5%
  阻段：0.025Ω~1Ω
薄膜電阻
- TR 薄膜電阻
  
  系列：TR
  功率(W)：1/16W~2W
  規格：0201（0603） 0402（1005） 0603（1608） 0805（2012） 1206（3216） 1210（3225） 2010（5025） 2512（6432）
  溫度系數：pls see detail in datasheet
  精度：0.1% 0.5% 1% 2% 5%
  阻段：pls see detail in datasheet
芯片穩壓二極管
- 1 CDZ55B
  
  通道數：1
  散溢功率 mW：mW
  重復恢復電流：200
  順向電壓 V：V(Max.)
  齊納電壓範圍：2.4V~75V (2.4Vonly 5%）
  最大齊納阻抗（Ω）：Depending on voltage
  最大齊納阻抗(mA)：5
  最大齊納阻抗（Ω）：Depending on voltage
  最大齊納阻抗(mA)：1
  最大反向漏電流(uA)）：Depending on voltage
- 1 CDZ55B-S
  
  通道數：1
  散溢功率 mW：mW
  重復恢復電流：200
  順向電壓 V：V(Max.)
  齊納電壓範圍：2.4V~75V (2.4Vonly 5%）
  最大齊納阻抗（Ω）：Depending on voltage
  最大齊納阻抗(mA)：5
  最大齊納阻抗（Ω）：Depending on voltage
  最大齊納阻抗(mA)：1
  最大反向漏電流(uA)）：Depending on voltage
- 1 CDZ55B-T
  
  通道數：1
  散溢功率 mW：mW
  重復恢復電流：200
  順向電壓 V：V(Max.)
  齊納電壓範圍：2.4V~75V (2.4Vonly 5%）
  最大齊納阻抗（Ω）：Depending on voltage
  最大齊納阻抗(mA)：5
  最大齊納阻抗（Ω）：Depending on voltage
  最大齊納阻抗(mA)：1
  最大反向漏電流(uA)）：Depending on voltage
- 1 CDZ55C
  
  通道數：1
  散溢功率 mW：mW
  重復恢復電流：200
  順向電壓 V：V(Max.)
  齊納電壓範圍：2.4V~75V (2.4Vonly 5%）
  最大齊納阻抗（Ω）：Depending on voltage
  最大齊納阻抗(mA)：5
  最大齊納阻抗（Ω）：Depending on voltage
  最大齊納阻抗(mA)：1
  最大反向漏電流(uA)）：Depending on voltage
- 1 CDZ55C-S
  
  通道數：1
  散溢功率 mW：mW
  重復恢復電流：200
  順向電壓 V：V(Max.)
  齊納電壓範圍：2.4V~75V (2.4Vonly 5%）
  最大齊納阻抗（Ω）：Depending on voltage
  最大齊納阻抗(mA)：5
  最大齊納阻抗（Ω）：Depending on voltage
  最大齊納阻抗(mA)：1
  最大反向漏電流(uA)）：Depending on voltage
- 1 CDZ55C-M
  
  通道數：1
  散溢功率 mW：mW
  重復恢復電流：200
  順向電壓 V：V(Max.)
  齊納電壓範圍：5.1V~5.6V
  最大齊納阻抗（Ω）：Depending on voltage
  最大齊納阻抗(mA)：5
  最大齊納阻抗（Ω）：Depending on voltage
  最大齊納阻抗(mA)：1
  最大反向漏電流(uA)）：<100
- 1 CDZ55C-SM
  
  通道數：1
  散溢功率 mW：mW
  重復恢復電流：200
  順向電壓 V：V(Max.)
  齊納電壓範圍：5.1V~5.6V
  最大齊納阻抗（Ω）：Depending on voltage
  最大齊納阻抗(mA)：5
  最大齊納阻抗（Ω）：Depending on voltage
  最大齊納阻抗(mA)：1
  最大反向漏電流(uA)）：<100
- 1 CDZ55C-TM
  
  通道數：1
  散溢功率 mW：mW
  重復恢復電流：200
  順向電壓 V：V(Max.)
  齊納電壓範圍：5.1V~5.6V
  最大齊納阻抗（Ω）：Depending on voltage
  最大齊納阻抗(mA)：5
  最大齊納阻抗（Ω）：Depending on voltage
  最大齊納阻抗(mA)：1
  最大反向漏電流(uA)）：<100
開關二極管
- 75 CD4148WQR
  
  最大反向電壓 (V)：75
  平均整流順向電流(A)：0.15
  順向電壓 (V)：1 @ IF=50mA
  反向電流 (uA)：0.025 @ VR=20V 2.5 @ VR=75V
  封裝：DFN1006-2
- 30 CD4448WQR
  
  最大反向電壓 (V)：30
  平均整流順向電流(A)：0.1
  順向電壓 (V)：0.46 @ IF=10mA
  反向電流 (uA)：0.3 @ VR=10V
  封裝：DFN1006-2
肖特基二極管
- 30 CDB0130KRL
  
  最大反向電壓 (V)：30
  平均整流順向電流(A)：0.1
  順向電壓 (V)：0.37 @ IF=10mA
  反向電流 (uA)：7 @ VR=10V
  封裝：DFN0603-2
- 30 CDB0130KRM
  
  最大反向電壓 (V)：30
  平均整流順向電流(A)：0.1
  順向電壓 (V)：0.46 @ IF=10mA
  反向電流 (uA)：0.3 @ VR=10V
  封裝：DFN0603-2
- 30 CDB0130QRL
  
  最大反向電壓 (V)：30
  平均整流順向電流(A)：0.1
  順向電壓 (V)：0.29 @ IF=10mA 0.30 @ IF=20mA 0.40 @ IF=100mA
  反向電流 (uA)：30 @ VR=30V
  封裝：DFN1006-2
- 30 CDB0130QRM
  
  最大反向電壓 (V)：30
  平均整流順向電流(A)：0.1
  順向電壓 (V)：0.51 @ IF=100mA
  反向電流 (uA)：1 @ VR=10V
  封裝：DFN1006-2
- 40 CDB0140QRL
  
  最大反向電壓 (V)：40
  平均整流順向電流(A)：0.1
  順向電壓 (V)：0.34 @ IF=10mA 0.55 @ IF=100mA
  反向電流 (uA)：10 @ VR=10V 40 @ VR=40V
  封裝：DFN1006-2
- 40 CDB0140QRM
  
  最大反向電壓 (V)：40
  平均整流順向電流(A)：0.1
  順向電壓 (V)：0.36 @ IF=10mA 0.51 @ IF=100mA
  反向電流 (uA)：1 @ VR=10V 5 @ VR=40V
  封裝：DFN1006-2
- 30 CDB0230QRL
  
  最大反向電壓 (V)：30
  平均整流順向電流(A)：0.2
  順向電壓 (V)：0.50 @ IF=200mA
  反向電流 (uA)：10 @ VR=10V
  封裝：DFN1006-2
- 30 CDB0230QRM
  
  最大反向電壓 (V)：30
  平均整流順向電流(A)：0.2
  順向電壓 (V)：0.60 @ IF=200mA
  反向電流 (uA)：1 @ VR=10V
  封裝：DFN1006-2
- 40 CDB0240QRL
  
  最大反向電壓 (V)：40
  平均整流順向電流(A)：0.2
  順向電壓 (V)：0.33 @ IF=10mA 0.52 @ IF=200mA
  反向電流 (uA)：10 @ VR=10V 40 @ VR=40V
  封裝：DFN1006-2
- 40 CDB0240QRM
  
  最大反向電壓 (V)：40
  平均整流順向電流(A)：0.2
  順向電壓 (V)：0.36 @ IF=10mA 0.60 @ IF=200mA
  反向電流 (uA)：1 @ VR=10V 5 @ VR=40V
  封裝：DFN1006-2
- 20 CDB0520QRL
  
  最大反向電壓 (V)：20
  平均整流順向電流(A)：0.5
  順向電壓 (V)：0.27 @ IF=10mA 0.46 @ IF=500mA
  反向電流 (uA)：20 @ VR=10V 30 @ VR=20V
  封裝：DFN1006-2
- 30 CDB0530QRL
  
  最大反向電壓 (V)：30
  平均整流順向電流(A)：0.5
  順向電壓 (V)：0.27 @ IF=10mA 0.46 @ IF=500mA
  反向電流 (uA)：20 @ VR=10V 40 @ VR=30V
  封裝：DFN1006-2
- 40 CDB0540QRL
  
  最大反向電壓 (V)：40
  平均整流順向電流(A)：0.5
  順向電壓 (V)：0.27 @ IF=10mA 0.46 @ IF=500mA
  反向電流 (uA)：20 @ VR=10V 50 @ VR=40V
  封裝：DFN1006-2
抗靜電突波二極管
- 1 ESDKR5V0BS
  
  通道數：1
  啟動電壓(V)：5
  崩潰電壓(V)：5.6
  漏電流(nA)：10
  抗靜電能力（接觸）(kV)：±25
  抗靜電能力（間隙）(kV)：±30
  最大波峰脈沖電流 (A) tp = 8/20 μs：3.5
  鉗位電壓 (V) tp = 8/20 μs：3.5
  容值 (pF) I/O - GND VR=0V,f=1MHz：10
  封裝：DFN0603-2
- 1 ESDKR5V0UJ
  
  通道數：1
  啟動電壓(V)：5
  崩潰電壓(V)：6
  漏電流(nA)：50
  抗靜電能力（接觸）(kV)：±19
  抗靜電能力（間隙）(kV)：±19
  最大波峰脈沖電流 (A) tp = 8/20 μs：2
  鉗位電壓 (V) tp = 8/20 μs：12 @IPP=1A 15 @IPP=2A
  容值 (pF) I/O - GND VR=0V,f=1MHz：0.6
  封裝：DFN0603-2
- 1 ESDQR3V3B
  
  通道數：1
  啟動電壓(V)：3.3
  崩潰電壓(V)：3.5
  漏電流(nA)：1000
  抗靜電能力（接觸）(kV)：±30
  抗靜電能力（間隙）(kV)：±30
  最大波峰脈沖電流 (A) tp = 8/20 μs：15
  鉗位電壓 (V) tp = 8/20 μs：6.0 @IPP=1A 12 @IPP=15A
  容值 (pF) I/O - GND VR=0V,f=1MHz：30
  封裝：DFN1006-2
- 1 ESDQR3V3BS
  
  通道數：1
  啟動電壓(V)：3.3
  崩潰電壓(V)：4
  漏電流(nA)：1000
  抗靜電能力（接觸）(kV)：±12
  抗靜電能力（間隙）(kV)：±20
  最大波峰脈沖電流 (A) tp = 8/20 μs：5
  鉗位電壓 (V) tp = 8/20 μs：5.5 @IPP=1A 8.0 @IPP=5A
  容值 (pF) I/O - GND VR=0V,f=1MHz：10
  封裝：DFN1006-2
- 1 ESDQR5V0B
  
  通道數：1
  啟動電壓(V)：5
  崩潰電壓(V)：6
  漏電流(nA)：50
  抗靜電能力（接觸）(kV)：±30
  抗靜電能力（間隙）(kV)：±30
  最大波峰脈沖電流 (A) tp = 8/20 μs：7.9
  鉗位電壓 (V) tp = 8/20 μs：9.0 @IPP=1A 17.5 @IPP=7.9A
  容值 (pF) I/O - GND VR=0V,f=1MHz：20
  封裝：DFN1006-2
- 1 ESDQR5V0BJ
  
  通道數：1
  啟動電壓(V)：5
  崩潰電壓(V)：6
  漏電流(nA)：50
  抗靜電能力（接觸）(kV)：±8
  抗靜電能力（間隙）(kV)：±15
  最大波峰脈沖電流 (A) tp = 8/20 μs：2
  鉗位電壓 (V) tp = 8/20 μs：14 @IPP=1A
  容值 (pF) I/O - GND VR=0V,f=1MHz：0.6
  封裝：DFN1006-2
- 1 ESDQR5V0BS
  
  通道數：1
  啟動電壓(V)：5
  崩潰電壓(V)：6
  漏電流(nA)：100
  抗靜電能力（接觸）(kV)：±8
  抗靜電能力（間隙）(kV)：±15
  最大波峰脈沖電流 (A) tp = 8/20 μs：2
  鉗位電壓 (V) tp = 8/20 μs：12 @IPP=1A 17 @IPP=2A
  容值 (pF) I/O - GND VR=0V,f=1MHz：10
  封裝：DFN1006-2
- 1 ESDQR5V0BX
  
  通道數：1
  啟動電壓(V)：5
  崩潰電壓(V)：6
  漏電流(nA)：50
  抗靜電能力（接觸）(kV)：±8
  抗靜電能力（間隙）(kV)：±15
  最大波峰脈沖電流 (A) tp = 8/20 μs：2
  鉗位電壓 (V) tp = 8/20 μs：14 @IPP=1A
  容值 (pF) I/O - GND VR=0V,f=1MHz：0.3
  封裝：DFN1006-2
- 1 ESDQR5V0U
  
  通道數：1
  啟動電壓(V)：5
  崩潰電壓(V)：6
  漏電流(nA)：1000
  抗靜電能力（接觸）(kV)：±8
  抗靜電能力（間隙）(kV)：±15
  最大波峰脈沖電流 (A) tp = 8/20 μs：10
  鉗位電壓 (V) tp = 8/20 μs：13.5 @IPP=10A
  容值 (pF) I/O - GND VR=0V,f=1MHz：80
  封裝：DFN1006-2
- 1 ESDQR5V0UJ
  
  通道數：1
  啟動電壓(V)：5
  崩潰電壓(V)：6
  漏電流(nA)：50
  抗靜電能力（接觸）(kV)：±18
  抗靜電能力（間隙）(kV)：±20
  最大波峰脈沖電流 (A) tp = 8/20 μs：3.6
  鉗位電壓 (V) tp = 8/20 μs：12 @IPP=1A 20 @IPP=3A
  容值 (pF) I/O - GND VR=0V,f=1MHz：0.5
  封裝：DFN1006-2
- 1 ESDQR12V0B
  
  通道數：1
  啟動電壓(V)：12
  崩潰電壓(V)：14.6
  漏電流(nA)：50
  抗靜電能力（接觸）(kV)：±8
  抗靜電能力（間隙）(kV)：±16
  最大波峰脈沖電流 (A) tp = 8/20 μs：6
  鉗位電壓 (V) tp = 8/20 μs：19 @IPP=1A 25 @IPP=6A
  容值 (pF) I/O - GND VR=0V,f=1MHz：30
  封裝：DFN1006-2
- 1 ESDQR12V0U
  
  通道數：1
  啟動電壓(V)：12
  崩潰電壓(V)：13.3
  漏電流(nA)：50
  抗靜電能力（接觸）(kV)：±30
  抗靜電能力（間隙）(kV)：±30
  最大波峰脈沖電流 (A) tp = 8/20 μs：5
  鉗位電壓 (V) tp = 8/20 μs：19 @IPP=1A 24 @IPP=5A
  容值 (pF) I/O - GND VR=0V,f=1MHz：60
  封裝：DFN1006-2
- 1 ESDQR24V0B
  
  通道數：1
  啟動電壓(V)：24
  崩潰電壓(V)：26.5
  漏電流(nA)：50
  抗靜電能力（接觸）(kV)：±25
  抗靜電能力（間隙）(kV)：±25
  最大波峰脈沖電流 (A) tp = 8/20 μs：3
  鉗位電壓 (V) tp = 8/20 μs：36 @IPP=1A 42 @IPP=3A
  容值 (pF) I/O - GND VR=0V,f=1MHz：30
  封裝：DFN1006-2
- 1 ESDQR24V0U
  
  通道數：1
  啟動電壓(V)：24
  崩潰電壓(V)：26.5
  漏電流(nA)：50
  抗靜電能力（接觸）(kV)：±25
  抗靜電能力（間隙）(kV)：±25
  最大波峰脈沖電流 (A) tp = 8/20 μs：3
  鉗位電壓 (V) tp = 8/20 μs：36 @IPP=1A 42 @IPP=3A
  容值 (pF) I/O - GND VR=0V,f=1MHz：35
  封裝：DFN1006-2
- 1 ESDQR36V0B
  
  通道數：1
  啟動電壓(V)：36
  崩潰電壓(V)：40
  漏電流(nA)：100
  抗靜電能力（接觸）(kV)：±25
  抗靜電能力（間隙）(kV)：±25
  最大波峰脈沖電流 (A) tp = 8/20 μs：1.5
  鉗位電壓 (V) tp = 8/20 μs：58 @IPP=1A
  容值 (pF) I/O - GND VR=0V,f=1MHz：20
  封裝：DFN1006-2
- 1 ESDQR36V0U
  
  通道數：1
  啟動電壓(V)：36
  崩潰電壓(V)：40
  漏電流(nA)：100
  抗靜電能力（接觸）(kV)：±25
  抗靜電能力（間隙）(kV)：±25
  最大波峰脈沖電流 (A) tp = 8/20 μs：1.5
  鉗位電壓 (V) tp = 8/20 μs：58 @IPP=1A
  容值 (pF) I/O - GND VR=0V,f=1MHz：30
  封裝：DFN1006-2
- 4 RESDMRA3V3J
  
  通道數：4
  啟動電壓(V)：3.3
  崩潰電壓(V)：3.4
  漏電流(nA)：100
  抗靜電能力（接觸）(kV)：±8
  抗靜電能力（間隙）(kV)：±15
  最大波峰脈沖電流 (A) tp = 8/20 μs：4
  鉗位電壓 (V) tp = 8/20 μs：8 @IPP=1A 10 @IPP=3A
  容值 (pF) I/O - GND VR=0V,f=1MHz：0.65
  封裝：DFN2510-10
- 4 RESDMRA5V0J
  
  通道數：4
  啟動電壓(V)：5
  崩潰電壓(V)：6
  漏電流(nA)：1000
  抗靜電能力（接觸）(kV)：±12
  抗靜電能力（間隙）(kV)：±17
  最大波峰脈沖電流 (A) tp = 8/20 μs：5
  鉗位電壓 (V) tp = 8/20 μs：15 @IPP=1A 25 @IPP=5A
  容值 (pF) I/O - GND VR=0V,f=1MHz：0.8
  封裝：DFN2510-10
- 4 RESDMRA5V0X
  
  通道數：4
  啟動電壓(V)：5
  崩潰電壓(V)：6
  漏電流(nA)：1000
  抗靜電能力（接觸）(kV)：±12
  抗靜電能力（間隙）(kV)：±17
  最大波峰脈沖電流 (A) tp = 8/20 μs：3.4
  鉗位電壓 (V) tp = 8/20 μs：15 @IPP=1A 25 @IPP=3.4A
  容值 (pF) I/O - GND VR=0V,f=1MHz：0.4
  封裝：DFN2510-10